高低溫探針臺主要用于材料電學表征和測量的微型桌面型電學測量臺，是專為晶片、器件和材料（薄膜、納米、石墨烯、電子材料、超導材料、鐵電材料等）提供真空和高低溫測試條件下進行非破壞性的電學表征和測量平臺。主要用于介電、壓電、鐵電、熱釋電、光電等材料的電學性能表征和測量，還可以在真空、氣氛環(huán)境下對材料進行電學測量評估，是實驗室測量薄膜材料電學材料常備工具，廣泛用于高校、科研、航天航空、軍工院所等領域。
性能優(yōu)勢：
1、滿足各種溫度的需求：可以滿足非常高的溫度或非常低的溫度的需求，因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時，空氣中的水汽會凝結在晶圓上，會導致漏電過大而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉。
當晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時，氧化現(xiàn)象會越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴重。過度氧化會導致晶圓電性誤差，物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運轉。晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現(xiàn)象，定位好的探針與器件間會有相對位移，這時需要針座的重新定位，針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調(diào)整探針的位置。
2、體積小，穩(wěn)定性高：與傳統(tǒng)探針臺相比，高低溫真空探針臺的穩(wěn)定性更高，采用先進的技術工藝，讓探針臺在工作過程中流暢性更高，平穩(wěn)性更高，從而保證每次實驗數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性，這樣實驗得出的結果就會更加準確，對于企業(yè)快速研發(fā)新產(chǎn)品有很大幫助。
3、成本更低，可兼容直流跟射頻測試的運用：與傳統(tǒng)探針臺相比，高低溫探針臺采用先進的合成材料，成本方面比傳統(tǒng)探針臺更低，但是功能性都更加強大。
使用范圍：
高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，資料測試，霍爾測試，電磁輸運特性等。
