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失效分析設(shè)備

封裝工藝檢測(cè)設(shè)備 ESD測(cè)試設(shè)備

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芯片ESD測(cè)試儀是保障電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵 ESD測(cè)試設(shè)備是靜電放電抗擾度與電磁輻射抗擾度測(cè)試的利器 ESD測(cè)試設(shè)備是什么原理 ESD測(cè)試介紹該如何進(jìn)行ESD測(cè)試設(shè)備的試驗(yàn)？

詳細(xì)介紹

ESD（靜電放電）測(cè)試是在半導(dǎo)體可靠性測(cè)試期間進(jìn)行的。ESD測(cè)試對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的開發(fā)和半導(dǎo)體制造的最終生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量保證都是不可少的。HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備

TLP

HED-T5000 |T5000-VF |T5000-HC

TLP 測(cè)試機(jī)

l 用于獲取器件保護(hù)電路的相關(guān)參數(shù)特性

l 為器件升級(jí)提供支持，縮短產(chǎn)品周期

l 提供普通和VF（非?？欤┬吞?hào)。VF模型提供正常（100nm / 200nm）和VF（1nm-）脈沖寬度。

l 具有半自動(dòng)探針臺(tái)整合功能的可選自動(dòng)測(cè)試可大大提高生產(chǎn)率。

l 可與HED-W5000，ESD（HBM，MM）測(cè)試儀結(jié)合使用現(xiàn)在提供大電流輸出型號(hào)（T5000-HC）。

HANWA HED-T5000 傳輸線脈沖 (TLP)測(cè)試設(shè)備

TLP 測(cè)試機(jī) 產(chǎn)品系列

此設(shè)備是對(duì)保護(hù)電路的工作特性進(jìn)行模擬測(cè)試的設(shè)備

對(duì)集成電路里保護(hù)電路的工作參數(shù)的收集與分析有很大幫助

也可進(jìn)行VF-TLP測(cè)試

產(chǎn)品名/型號(hào)	設(shè)備說(shuō)明	設(shè)備介紹視頻
HED-T5000/ HED-T5000VF	此設(shè)備配備了先進(jìn)的測(cè)試模式具備印加脈沖寬度為100ns/200ns的normal TLP測(cè)試與寬度到1ns的VF-TLP(Very Fast TLP)測(cè)試模式有助于驗(yàn)證HBM/CDM模式的測(cè)試對(duì)于器件管腳的入射波和器件管腳發(fā)出的反射波，都可在示波器上確認(rèn)到此數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)保存，并在專用的顯示軟件上表示專用顯示軟件可對(duì)入射波/反射波的合計(jì)值，snapback特性以及漏電流測(cè)試的電流值進(jìn)行圖形描繪被保存的示波器上的數(shù)據(jù)可以進(jìn)行高自由度的演算處理比如，對(duì)于不同工藝的晶體管的ON電壓及可以加在保護(hù)電路上的最大電流值等，可以通過(guò)曲線的重疊描繪來(lái)確認(rèn)其差異并且可以與半自動(dòng)探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)TLP測(cè)試的自動(dòng)化由于可以在Wafer level上進(jìn)行印加管腳間或芯片間的自動(dòng)移位，所以能夠很大地提升測(cè)試效率
HED-T5000-HC	目前，對(duì)于半導(dǎo)體器件的高集成度?高頻?高耐壓的需求逐年增加對(duì)于在以往的TLP測(cè)試機(jī)無(wú)法完成的高電壓?大電流的特性測(cè)試，在本設(shè)備上得以實(shí)現(xiàn)、并有助于高耐壓元件工作參數(shù)的取得及分析